@MastersThesis{Perondi:1987:InEsIm,
               author = "Perondi, Leonel Fernando",
                title = "Influ{\^e}ncia dos estados de impureza e de condu{\c{c}}{\~a}o 
                         sobre as propriedades eletr{\^o}nicas de semicondutores dopados",
               school = "Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE)",
                 year = "1987",
              address = "S{\~a}o Jos{\'e} dos Campos",
                month = "1986-02-03",
             keywords = "semicondutores, propriedades eletr{\^o}nicas, materiais 
                         desordenados.",
             abstract = "Investigam-se diversos modelos para a explica{\c{c}}{\~a}o das 
                         propriedades eletr{\^o}nicas de semicondutores dopados. O 
                         trabalho pode, a grosso modo, ser subdividido em tr{\^e}s partes 
                         principais. Na primeira apresentam-se um amplo material 
                         introdut{\'o}rio que abrange uma discuss{\~a}o qualitativa sobre 
                         as propriedades eletr{\^o}nicas de semicondutores dopados, uma 
                         descri{\c{c}}{\~a}o do modelo de Mott-Rubbard-Anderson, o 
                         formalismo de m{\'e}dias configura{\c{c}}{\~o}es de 
                         Matsubara-Toyosawa e a descri{\c{c}}{\~a}o de estados associados 
                         a impurezas isoladas. Nesta primeira parte discutem-se ainda 
                         diversas quest{\~o}es ligadas {\`a} aplica{\c{c}}{\~a}o da 
                         aproxima{\c{c}}{\~a}o de massa efetiva a sistemas com muitas 
                         impurezas, aspectos qualitativos e formais sobre a 
                         intera{\c{c}}{\~a}o el{\'e}tron-el{\'e}tron, bem como 
                         resultados obtidos a partir de modelos preliminares. Na segunda 
                         parte prop{\~o}em-se e analisam-se diversos modelos que levam em 
                         considera{\c{c}}{\~a}o e hibridiza{\c{c}}{\~a}o entre estados 
                         de impurezas e de condu{\c{c}}{\~a}o. Finalmente, na terceira 
                         parte apresenta-se e analisa-se um modelo que se utiliza 
                         exclusivamente das /Un{\c{c}}{\~o}es de Bloch do material 
                         hospedeiro para a descri{\c{c}}{\~a}o dos auto-estados do 
                         sistema. O calor especifico e a susceptibilidade de {"}spin{"} 
                         previstos pelos diversos modelos s{\~a}o comparados com os 
                         respectivos resultados experimentais. ABSTRACT: Many models 
                         appropriated to the description of the electronic properties of 
                         doped semiconductors are investigated. In a rough way, the work 
                         can be subdivided into three main parts. In the first one we 
                         present an extensive introductory material that comprehends a 
                         qualitative discussion about the electronical properties of doped 
                         semicondutors, a description of the Mott-Bubbard-Anderson model, 
                         the formalism of configUrational averages of Matsubara-Toyosawa 
                         and the descr{\'{\i}}ption of the states associated with 
                         isolated impurities. In this same part, we stili discuss many 
                         questions associated with the application of the effective mass 
                         appoximation to systems with many impurities, some qualitative and 
                         formal aspects about the electron-electron interaction, as well as 
                         some results obtained through preliminary models. In the second 
                         part we propose and analyse different models that take into 
                         account the hibridization between impurity and conduction states. 
                         Finally, in the third part we present and analyse a model 
                         basedentirely upon the bloch functions of the host for the 
                         description of th{\'e} eigenstatesof the system. The specific 
                         heat and spin susCeptibility predicted by ali these modele are 
                         compared with the corres ponding experimental results.",
            committee = "Lima, Ivan Costa da Cunha (presidente), and Kishore, Ram 
                         (orientador), and Tropper, Am{\'o}s and Senna, Jos{\'e} Roberto 
                         Sbragia and Fabbri, Maur{\'{\i}}cio",
           copyholder = "SID/SCD",
         englishtitle = "x",
             language = "pt",
                pages = "286",
                  ibi = "8JMKD3MGP3W34P/3QJN2T8",
                  url = "http://urlib.net/ibi/8JMKD3MGP3W34P/3QJN2T8",
           targetfile = "INPE-4108.pdf",
        urlaccessdate = "04 maio 2024"
}